سامسونگ اگرچه به عنوان برند مطرح صنعت گوشی هوشمند شناخته می‌شود، اما از جمله برندهایی است که در صنایع دیگر هم فعالیت دارد. از جمله باید به صنایع تولید تراشه، نمایشگر و برخی دیگر اشاره کرد. یکی از رقبای مطرح این برند در زمینه تولید تراشه، شرکت TSMC تایوان است که به دلیل تولید بهینه تراشه موجب شد تا شرکت‌های بزرگی چون اپل، کوالکام و برخی دیگر تولید تراشه خود را در اختیار این کمپانی قرار دهند.
در حالی که سامسونگ امیدوار بود با تراشه‌های 3 نانومتری خود موجب جلب توجه مشتریان بزرگ شود اما موفق نبود و TSMC رقیب سامسونگ با حرکت دیگری که انجام داد فاصله خود را با سامسونگ بیشتر کرد و محبوبیتش دوچندان شد.
TSMC لیتوگرافی ساخت تراشه جدید N4C را در سمپوزیوم فناوری آمریکای شمالی 2024 رونمایی کرد. این یک فناوری ارزان‌تر از فرآیند 4 نانومتری بوده و ابر مجموعه N4P، پیشرفته‌ترین فناوری آن در فرآیند کلاس 5 نانومتری محسوب می‌شود. به گفته AnandTech، شرکت TSMC در حال تغییر معماری ساختار سلول و SRAM، کاهش تعداد لایه‌های پوشاننده و تغییر برخی عناصر دیگر طراحی برای کاهش پیچیدگی تراشه است. این تغییرات موجب کاهش سایز قالب تا 8.5درصد شده و پیچیدگی ساخت را هم کم می‌کند. گذشته از آن چنین فناوری نسبت به N4P عملکرد بهتری را هم به دنبال خواهد داشت.
این برند تایوانی گزینه‌های متعددی را برای شرکت‌های تولید تراشه ارائه می‌کند که روی هزینه یا تلاش‌های طراحی متمرکز است. اگرچه برندهای بزرگی چون اپل، AMD، انویدیا و کوالکام تصمیم به استفاده از فرآیند 3 نانومتری TSMC برای تراشه پرچمدار دارند، اما باید انتظار داشت که به سراغ فرآیند N4C برای کاهش هزینه تولید تراشه غیرپچمدار هم بروند.
انتظار داریم در سال آینده شاهد تراشه‌های مبتنی بر N4C اقتصادی باشیم. در سوی دیگر سامسونگ اگزینوس 2400 امسال را با فرآیند 4 نانومتری نسل سومی توسعه داد و احتمال دارد در اواخر سال جاری یا اوایل 2025 شاهد تولید تراشه تحت فرآیند نسل چهارم و پنجم 4 نانومتری سامسونگ باشیم. البته آماری درباره عملکرد تراشه‌هایی با فرآیند مورد اشاره ارائه نشد.
TSMC رقیب سامسونگ به رونمایی از فرآیند تولید تراشه کلاس Angstrom موسوم به A16 (1.6 نانومتر) رونمایی کرد. این اولین فرآیندی است که از فناوری شبکه تحویل برق پشتی (BSPDN) برای بهبود عملکرد و بهره‌وری انرژی گسترده بهره می‌گیرد. فناوری BSPDN پیش بینی می‌شد در فرآیند 2 نانومتری TSMC به کار گرفته شود، اما از 2 نانومتری حذف شد و در تراشه‌های 1.6 نانومتری تعبیه می‌شود.
